|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
15.04.2008 - НаноэлектроникаС графеном связано множество надежд о будущем электроники. Однако существующие методы его получения обладают значительными недостатками. В частности, расщепление графита на слои выглядит трудно масштабируемым. Альтернативой является эпитаксиальный рост графена, однако в этом случае трудно добиться получения достаточно крупных листов, обладающих равномерной толщиной. Кроме того, сильные взаимодействия с подложкой могут искажать свойства графена. Исследователи из Brookhaven National Laboratory (США) показали, что при эпитаксиальном росте графена на поверхности Ru (0001) формируются макроскопические графеновые области . При этом рост протекает послойно, и, хотя первый слой сильно связан с подложкой, второй практически с ней не взаимодействует и сохраняет все уникальные свойства графена. Синтез основан на том, что растворимость углерода в рутении сильно зависит от температуры. При 1150 °С рутений насыщается углеродом, а при снижении температуры до 825 °С углерод выходит на поверхность, в результате чего формируются островки графена размером более 100 мкм. Островки разрастаются и объединяются, после чего начинается рост второго слоя. Расстояние между первым слоем графена и рутением составило около 1.45 Å, а между слоями графена близко к таковому для графита (3.34 Å). Были проведены измерения электрического сопротивления в слоях графена и между ними. Оказалось, что сопротивление между слоями в 1000 раз больше, т.е. электронное взаимодействие между слоями слабо. Nanonewsnet << Назад |
|
||||||||||||||
|
О проекте Услуги и расценки Конфиденциальность Политика безопасности FAQ Для рекламодателей
Все права защищены и охраняются законом. © 2007 ООО «Мир гальваники» 
| ||||||||||||||||
